抄録
本研究では，成長条件を容易に変えることができるパルスレーザー堆積(PLD)法に注目し，良質なGa2O3薄膜をα-Al2O3基板上に作製することを目的とした．ターゲットはGa2O3，基板はα-Al2O3を使用し，実験時の成長室内の到達真空度は10-5Paであり，成長時間は1時間と3時間で実験を行なった．この薄膜作製装置を用いて，成長時の温度依存(100℃～600℃)，雰囲気酸素ガス圧依存(1.0×10-5 Pa～1.0×10-1 Pa)，成長時に用いるKrFエキシマレーザーの周波数依存(2Hz～10 Hz)で薄膜を作製した．Ga2O3薄膜の評価は，膜厚測定，透過率測定，X線回折(XRD)測定，ラマン分光測定により行った．
