PPCM法による非破壊・非接触界面準位密度測定

抄録

半導体デバイスの界面準位はデバイス特性へ大きく影響を及ぼす。界面準位改善のためのデバイス・プロセス対策を進めていく上で界面準位密度を正確に評価することは重要である。我々は、非破壊・非接触による光伝導度測定手法PPCM(Pulse Photoconductivity Method)を応用した界面準位密度測定手法を考案した。本手法はデバイス構造が不要であるためショートフィードバック期間での界面準位低減検討を行うことが可能となる。また、非接触測定であるため、インラインでのQC管理への展開も可能と考えられる。本稿では、界面準位密度測定の測定原理およびP型Si基板上に成膜した熱酸化膜サンプルの界面準位密度測定結果について報告する。