Silicon on Diamond基板上のESD保護素子のデバイスシミュレーションによる検討

抄録

　SOI（Silicon on Insulator）構造のデバイスは高周波で動作するデバイスとして注目を集めているが、埋め込み絶縁膜として用いる酸化膜の熱伝導率が小さいため、ESD破壊耐量を確保することが難しい。　　本稿では優れた放熱性と絶縁性を有するダイヤモンド薄膜を埋め込み絶縁膜に用いたSOD（Silicon on Diamond）構造のESD保護素子をデバイスシミュレーション用いてTLM（Transmission Line Model）により評価した。その結果、SOD構造のESD保護素子は従来のSOI構造のESD保護素子よりESD耐性があることを明らかにした。