我々はシェル分離型磁気シールドとフラックスゲートセンサを用いて心臓磁界計測に成功した．現在用いているシェル分離型磁気シールドは床面上，左右に分離されているが，よりコンパクトにするためにシェル間スペースを小さくし，上下に分離する構造を検討している．今回有限要素法パッケージCOMSOLを用いて上下に分離するシェル分離型磁気シールドの補償電流の最適値とシールド特性を検討したので報告する．

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現在用いられているレゾルバは同心円状の構造で、かなり複雑な構造である。これまでに我々の研究室では一軸磁気異方性珪素鋼板と平面型コイルを用いて、構造が簡単で薄型のアキシャル型レゾルバを提案している。このレゾルバにおいては変圧比はロータ・コイル間スペースに依存している。本稿ではロータ・コイル間スペースと変圧比について実験を行った報告をする。

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本研究室では、回転円板の対向面間の磁気結合を利用して角度情報を得る薄型アキシャルレゾルバを提案している。しかし、 sin、cos波形からなる2相出力に角度検出の誤差となるオフセットが含まれる問題がある。本稿ではレゾルバの2相出力に含まれるオフセットの低減に関する実験結果の報告をする。

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本研究では高感度な金属異物検出を実現することを目的として、検出コイルを平面的に配置した励磁コイルに対して直交配置させることで、平衡度をとりやすくした、新しい平面型のコイル系を提案する。さらに、検出コイルの感度を高めるために、高周波特性に優れたアモルファス磁性リボンをコアとして用いている。実際に、実験装置を製作し、微小鉄球を対象としてその動作を調べた。本論文ではこの研究の現状を報告する。

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ナノメーターサイズの磁気微粒子を高分子で被覆し，その表面に検査用抗体を結合した磁気マーカーが，磁気的ハイパーサーミアや磁気的免疫検査，磁気ナノ粒子イメージング等幅広く用いられている．磁気マーカーを用いる際にはその磁気特性を正確に把握しておくことが重要となるが，その磁気異方性エネルギー密度やニール緩和時間が今まで十分把握できていなかった．そこで本研究では，代表的な磁気マーカーであるResovistのM-Hカーブに対しSVD法を適用して得た磁気モーメント分布より，これらのパラメータの推定を行った．その結果，磁気異方性エネルギー密度とニール緩和時間を定める定数がそれぞれ約4 KJ/m³，1×10^-9 sであると推定できた．

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磁気ナノ粒子はナノサイズの強磁性体であり、その表面に検査試薬や薬剤等を結合したものは磁気マーカーと呼ばれている。近年、磁気マーカーからの磁気信号を利用して癌等の疾病領域を高感度・高分解能に画像化する磁気粒子イメージング技術が医療診断において注目されている。本研究では、センチネルリンパ節生検への応用を想定した磁気ナノ粒子のイメージングシステムの開発を目指し、傾斜磁界（距離によって磁界強度の変化する磁界）を用いたシステムの開発及びイメージング試験を行った。0.8 T/mの傾斜磁界を用いることで、検出距離35 mmにおいてサンプル（磁気ナノ粒子100 µg）三つの位置特定を行うことができた。

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磁気ナノ粒子の表面に検査試薬や薬剤等を結合したものを磁気マーカーと呼び、その磁気的特性と粒子の小ささから様々な医療応用が期待されている。その中で、磁気ナノ粒子からの磁化信号を検出することによって磁気ナノ粒子の位置を特定する磁気粒子イメージングというものがあり、体内医療診断において注目されている。本研究では、100 μgの磁気ナノ粒子サンプルをxyz方向に走査し、磁気ナノ粒子からの非線形磁化による第三高調波信号を検出することで磁気ナノ粒子の位置の特定を行った。また、直流傾斜磁界を印加することで、より高感度で高分解能な三次元の磁気粒子イメージングシステムの開発を目指した。

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我々は、MRセンサを用いた液相での磁気的免疫検査法の開発を行っている。これまでは磁気マーカーに強い励起磁界を数回印加し、結合マーカーの残留磁気信号の測定を行っていた。しかし、これは未結合マーカー同士の凝集の原因となり、検出限界低下の要因となっていた。本研究では、抗原と抗体が取り付けられた磁気マーカーの抗原抗体反応中に磁界を印加する事で、磁気マーカーの磁気モーメントの向きを揃えながら抗原と結合させる手法を提案する。これにより強い励起磁界の印加回数を減らす事ができ、マーカー同士の凝集を低減した検出が可能となる。本方法による免疫検査の定量的な評価を行った。

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CDMA通信における受信機では,受信信号と各ユーザのスペクトル拡散符号との相関をとり,その出力値の正負により1ビットの情報を復調する.本稿では,まず,相関受信機出力の分布を調べ,ビット誤り率（BER）が出力レベルに依存することを確認する.次に,複合判定のしきい値（通常は0）の絶対値を大きくした場合,ビット誤り率が小さくなり,相関受信機出力レベルが大きいほど複合ビットの信頼性が高まることを確認する.さらに,この信頼性に基づいた誤り訂正の基本的な方法について検討し,提案手法の誤り訂正能力を調べる.

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擬似雑音系列は複素数値や実数値を取る場合、自己相関関数および相互相関関数が良好なものを得ることができる。本論文では、M系列から導かれ、系列の絶対値および相互相関関数の絶対値が小さい実数直交周期系列を示す。この系列の構成は実数有限長系列（Huffman系列）の生成に適用できることも述べる。

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著者らが提案した多値定重み符号は，非線形符号でありながら，その線形複雑度，符号語間の距離特性および相関特性等が報告されている．また，素体上の符号を複素平面単位円上の点へ，あるいは，単位円上とゼロ点へ写像することにより，複素系列を構成する方法も著者らにより提案された．本稿では，簡単な数値例を用いて拡大体GF(9)上の定重み符号からゼロ点を加えた複素系列の構成とそのいくつかの性質を報告する．

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巡回符号における最小距離の計算法について，さまざまな提案があった．著者らは離散フーリエ変換を用いて計算アルゴリズムを提案し，アルゴリズムの改良について検討してきた．これまでの検討では，行列の行あるいは列の移動を行う方法でした．本稿では，行列の演算を用いた計算法について報告する．

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AbstartA low-voltage, low-power low-dropout regulator is built with COMS transistors only, featuring low sensitivity with respect to technology and temperature. Supply voltage can be as low as 1V. This paper presents an LDO regulator in a 0.18nm COMS process, in which an EA with an embedded voltage reference (EVR) is employed. The LDO regulator achieves a low temperature coefficient(TC) and occupies a small surface area.Key wards: low voltage, embedded voltage reference (EVR), temperature compensation, low-dropout regulator (LDO)

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大気圧低温プラズマジェットの生成に必要な高繰り返し高電圧パルスを得るために、著者らが考案した抵抗、コンデンサ、ダイオードを主回路に用いたマルクス回路を使用し、スイッチング素子には高耐圧MOSFETを用いた。プラズマジェットは、Heガスをガラス管から大気中に放出し、ガラス管先端に取り付けた電極に高電圧パルスを印加して生成した。電極の形状や配置等を工夫することでガラス管の先端から外側のみにプラズマを効率的に生成できるようにした。さらに、発光分光法を用いてプラズマ発光の光強度やスペクトルの空間分布、時間変化を測定してプラズマの特性を調べた。

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本研究では, 大気圧低温プラズマジェット中の電子密度・温度のレーザートムソンン散乱法による計測を試みた. 大気圧低温プラズマジェットは, ガラス管からヘリウムガスを流出し, ガラス管の先端に設けた針状の電極に低周波の高電圧パルスを印加することで生成した.このプラズマジェット中にNd：YAGレーザーの第二高調波を入射し, その際に発生する散乱光を三回折格子分光器により分光して光電子増倍管で電気信号に変換することで, トムソン散乱光スペクトルを計測し, 電子密度・温度を求めるシステムとなっている. また, 本システムでは三回折格子分光器に加えクリーンボックスを設けることで迷光除去率を高めている.

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ICP支援DCマグネトロンスパッタリングでは動作Arガスの加熱による成膜プロセスへの影響が無視できないことが分かっている．本研究では，ICP支援DCマグネトロン放電におけるターゲット近傍Arガス温度の把握を目的として，Littrow型ECDLを用いた吸収分光法によりスパッタ成膜中Ar原子の速度分布関数を計測し，Arガス温度の調査を行った．ICP単独動作時においては空間的に一様な温度となった．また，ターゲットから距離20mmの場所で，ICP支援マグネトロン動作時がICP単独動作時に比べて約30~60K高くなった．気体温度と動作圧力は双関係があり，動作圧力が高くなると気体温度もそれに比例して高くなる．

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RFMSにより、10-4Ωcm台の抵抗率を有するAZO膜を基板全体に均一に成膜することを目標として成膜実験を行った。低融点基板への成膜を考え、基板加熱なしで10-4Ωcm台の抵抗率を基板全体に成膜するプロセス開発を行った。まず、基板をターゲットに対して垂直に設置し成膜した。その結果、基板加熱無しで最小抵抗率4.4×10-4Ωcmを得た。しかし抵抗率の不均一性が大きかった。次に均一性改善のため、基板をターゲットに対して45°傾斜させて設置し成膜を行った。その結果、最小抵抗率が1.9×10-3Ωcm であるが、基板面内の抵抗率均一性は大幅に改善された。さらに成膜後加熱を行うこと基板面内の抵抗率は全体的に低下し、最小抵抗率9.6×10-4Ωcmを得た。

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量子ドットは多重励起子生成の特性を基にして太陽電池分野で非常に注目されている。一つのフォトンから2つ以上の電子を生成することにより、太陽電池の理論上効率は約11%が増加した。本研究ではシリコン量子ドットの太陽電池への適用を研究した。毒性と希少性のカドミウム、鉛系の従来量子ドット材料とは異なり、シリコン量子ドットは非毒性と豊かさの長所がある。マルチホロー放電プラズマCVD法によって作製されたシリコン量子ドットは粒子のサイズによるバンドギャップの変化を通じて明確な量子効果を示した。本研究ではこれを基にしてシリコン量子ドットを増感太陽電池に適用して、光電特性を検証した。

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Siは太陽光発電市場の90％以上を占めている代表的な太陽電池材料である．1、2世代型太陽電池研究を主導したSi太陽電池はSi量子ドットをもとにして、次世代型太陽電池への可能性を示している。Siの量子特性は以前研究から証明されたにもかかわらず、多重励起子生成の実現と太陽電池への応用は相変わらず非常に難しい課題である．本研究では，Si量子ドットとポリマーを用いて有・無機ハイブリッド太陽電池を研究した．ポリマーの割合調節を通じてエネルギーバンドをコントロールして、Si量子ドットのバンドギャップに合わせたバンド構造から電荷の抽出が改善された高効率有・無機ハイブリッド太陽電池を作製した。

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近年、LSI電源の低電圧・大電流・多種化が進み、プリント基板上の多種電源に対する電流測定の必要性が高まっている。また、低電力パワーマネジメントの為、経年/温度変動の影響を受けない高精度な電流モニタのニーズがある。従来の電流センシング方法としては、コイルやパターンの抵抗値による電圧降下量から電流値を算出する方法があるが、製造ばらつきや温度変化による変動が大きく、精度が低かった。本稿では、製造ばらつきや温度変動に依存しない電流センシング技術を示し、またその応用例として、プリント基板の改造（カット、ストラップ等）を行うこと無く、電子負荷等のプロービングで手軽に消費電流の測定を行う方法を示す。

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　従来の比較器よりも複雑な判別ができるニューラルネットワーク構造を利用した比較器を提案する。従来の比較器は、ある値に比較して、入力信号が大きいか小さいかを判別して出力する。提案する比較器は、二つの入力信号が定められた範囲内にあるか無いかを判別できる。　二つの入力信号をそれぞれ X, Y 軸にした平面において、一つのニューロンは一本の直線を境界線として、平面を分離する。複数のニューロンが生成する複数の境界線を組み合わせれば、平面上のある領域が判別できる。従って、提案する比較器に二つの入力を組み合わせて入力し、入力が平面上の定められた領域内か、領域外かを判別できる。　提案する比較器は基本的な素子のみで動作するため、従来の比較器と同様に利用できる。

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Image registration and fusion are always current topics of computer vision. In many aspects such as remote sensing, cartography and medicine, image registration and fusion are required and important. However, for different images especially images which is of low resolution and less characteristic, there is no commonly used operator to process it. Under some circumstances, some people’s dental nerve has to be removed because of pain or other reasons. Moreover, dental root situation must be observed because of some therapeutical needs.

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In this paper, we report simulation and experimental results of capacitance edge effect on the comb electrodes of the quartz MEMS tilt sensor. The principle of the quartz tilt sensor is that the displacement of the moving element corresponding a tilt angle change is detected as capacitance change of comb electrode. To investigate the performance of the tilt sensor, we need to evaluate the sensitivity of the tilt sensor with and without the edge effect.

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近年、インクジェット技術を応用した研究は多種多様な分野に及んでいる。筆者らは立体物にコーティングを施す一方法として静電的に誘引されるインクジェット方式に着目した。本方式の特徴は、インク飛翔過程においてインクが広い範囲に亘って霧散する領域を有することである。霧散したインク飛翔過程の応用は、精密なコーティング結果が期待できる。本稿では、コーティングに関する基礎的な検討結果について述べる。

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我々の研究室ではベンチュリー効果を用いたナノミスト噴霧器の開発に取り組んでいる。ナノミスト噴霧器とは、噴霧されるミストの粒子径がマイクロオーダー以下で、粒子径の制御及び噴霧器の小型化が実現すれば、農学、医療等、多くの分野で応用することが可能である。本論文では、実際に試作した噴霧器による粒子径測定の結果を報告するとともに、ミストの噴霧に必要な空気吐出機構の小型化に向けた駆動方式の検討を行っている。

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3軸加速度センサを使って歩行者の移動経路を推定するシステムにおいては、加速度を積分し、速度、移動距離を算出する。この場合、歩行者の身に付けたセンサからのデータを有効に用いて、歩行者の移動量の推定精度高める必要がある。ここでは、基本的な歩行動作において、データから算出した移動量と実測値の関係を明らかにする。

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本報告は、N₂/CO₂混合ガス中での電子の実効電離係数の実測値とモンテカルロシミュレーションによる解析値との比較を行ったものである。ロゴウスキ電極と平板電極を垂直に配置し、CO₂(0～100%)の混合比を変化させ大気圧平等電界ギャップでの電子スウォーム実験から実効電離係数を計測した。大気圧中で電子スウォームを発生させるために、電極間にパルスYAGレーザを照射して弱電離プラズマを発生させた。その結果、臨界換算電界強度と実効電離係数の関係がCO₂混合比に強く依存することが確認された。　

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SF₆ガスは、ガス絶縁開閉装置(GIS)の絶縁媒体ガスとして広く使用されているが、地球温暖化係数(GWP)がCO₂の約22800倍と非常に大きいことから、環境負荷の小さなガスの研究が行われている。筆者らは、これまでに大気圧におけるN₂、CO₂とDry airを対象に、準平等電界と電界利用率を変化させた不平等電界下での絶縁破壊特性を同一条件で交流と正負両極性の雷インパルス電圧を印加して体系的に調べており、その結果をSF₆ガスと比較検討している。本論文では、各種ガスの不平等電界下における絶縁破壊特性を、ガス圧力を変化させて、正極性雷インパルス電圧を印加して、圧力依存性やSF₆に対する比率について比較検討した。

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電気絶縁性能の高いSF6ガスは管路気中送電機器(GIL)や遮断器(GIS)などに使用されている。このSF6ガスは温暖化係数が高く(GWP=23900)、使用後の回収が義務付けられている。そこで電気絶縁性能の高いSF6に代わる代替ガスの研究が広く行われている。本研究では、N2ガスに微量(0.1%,1%,10%)の電気絶縁性能の高いCF3IガスとSF6ガスを混合した大気圧のガス中でパルスレーザによる電離プラズマを発生させ、平等電界ギャップ中での正負イオンの挙動計測を行った。その結果、N2/CF3I混合ガス中でレーザ照射後の負イオンが陽極に近づくと負イオン電流の上昇が認められ、N2/ SF6混合ガスの負イオンについては同様な変化が認められなかった。またレーザ照射位置を変更した負イオン電流の計測も行った。

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これまでの研究で、インパルス電圧印加の間隔を短くすると、パルスストリーマによる背景ガスの加熱によって、発光形態が分枝状ストリーマから単一線状化ストリーマへ移行することを明らかにした。本研究では、単一線状ストリーマへの移行機構を明らかにするために、シュリーレン法を用いてインパルスストリーマチャネルの気体密度変化を観測した。 その結果、インパルス電圧印加の間隔を短くすると、ストリーマチャネルの密度変化が明確に認められた。ストリーマチャネルの密度変化は、印加電圧の間隔を短くする程明瞭に現れた。また、それは毎秒4000回の間隔でインパルス電圧を加えた時、後続のストリーマが発生する直前までその密度変化が残った。

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　放電プラズマ中の気体温度や平均電子エネルギーは、電気絶縁分野では高圧機器の絶縁物・被膜の劣化及び絶縁破壊と深く関係し、プラズマ応用の分野ではプラズマ化学反応や電極損耗と密接に関係する。そのためプラズマ診断技術の進化は、プラズマ発生機器の開発で極めて重要である。　これまで我々が行ってきた放電プラズマの分光学的気体温度計測は、発光観測領域の空間的な平均値としての測定である。我々は現在、分光画像診断法で、大気圧正極性直流グロープラズマ中の気体温度と平均電子エネルギーの二次元分布測定を行っている。本稿では、これまでに得られた主な結果を公表する。その結果について発表を行う。

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近年，電気電子機器の省エネルギー化が望まれており，消費電力などの計測方法の最適化が行われている。大気圧非熱平衡プラズマは空気清浄機や火力発電所，植物の栽培，医療関係など多岐にわたる分野で研究開発が行われており，本研究では電源部分に電池を用いたコッククロフト・ウォルトン回路を使用した密閉型針対平板電極系リアクター内のコロナ放電の計測方法に関する実験を行った。リアクター内部の平板電極から接地した導線に電源の接地線を短絡した場合と電源の接地線を短絡せずに接地した場合の比較を行った結果，短ギャップ長におけるコロナ放電の特性は接地条件で異なることがわかった。

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　パルス放電において、放電有効領域中の初期電子の存在が破壊開始電圧に大きく影響することが知られている。この初期電子を過度に供給できれば、放電開始電圧の安定化が期待される。ここで本研究は、電界放出源として期待されているカーボンナノチューブ（CNT）を電極に応用することにより、パルス放電の安定化を試みた。　本論では、大気圧空気中において準平等電界を形成する球対平板電極を用いた。また、CNTは導電性のテープで平板電極に取り付けた。これらの電極を用いて放電試験を行い、CNTの有無による破壊開始電圧特性を比較・検討した。その結果、CNT電極によって、パルス放電の開始電圧が低下することが確認された。

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絶縁体上の沿面火花破壊は、電力システムへ大きな被害を与える。長年、沿面放電は電力機器の絶縁設計のために研究が行われてきた。しかしながら、ストリーマからリーダーへの転移過程とその条件は十分に明らかにされていない。大気中の長ギャップ放電では、ストリーマチャネルのジュール加熱が原因でリーダー放電が発生する解釈がなされている。本研究では、室空気中で沿面放電の気体温度をN2の2nd Positive System Band(0,0)の回転スペクトル強度分布より計測した。その結果、リーダーが発生する気体温度は520[K]まで上昇していることが分かった。また、高感度ICCDカメラを用いた放電発光の観測により、ストリーマからリーダーへの転移過程の放電発光の詳細を明らかにする。

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油－プレスボード複合絶縁系に標準雷インパルス電圧を印加し、CCDカメラを用いて放電を観測した。その結果、放電進展後のプレスボード表面に放電生成物が形成されることを確認し、放電進展経路と放電生成物形成経路が重なることを明らかにした。また、放電生成物が部分放電開始電圧に与える影響を検討した。放電進展経路と生成物が重なる理由に関して、放電生成物は絶縁油の主成分であるパラフィンが重合したことによるワックスが、プレスボード表面に残ったためであると予測した。

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今回、油－プレスボード複合絶縁系に標準雷インパルス電圧を印加し、CCDカメラの先端にゲート制御可能なImage Intensifierを装着することで、放電発生・進展現象をマイクロ秒オーダーで時間分解し、放電様相を観測した。その結果、油中沿面放電現象を時間分解可能である測定系を構築でき、PMTと放電発光像を同期して観測できた。また、標準雷インパルス電圧印加時には、高圧電極から放電が複数発生していることが確認した。今後は、バリアを配置した油－プレスボード複合系において発生する放電現象を、今回構築した測定系を用いて取得する予定である。

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II‐VI族磁性半導体は発光を示すことが知られている。II‐VI族磁性半導体ZnTeでのエネルギーバンドギャップの2族磁性元素Mn濃度依存性を示す。ZnTeのバンドエネルギーは2.33eVである。将来緑色LDの発光として注目されている。そこで我々はMBE装置を用いてZnTe/ZnMnTeそれぞれ単層膜の作成を行いフォトルミネセンス効果について得られたことを報告します。

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直接遷移型のバンド構造を有し，室温でのバンドギャップが2.26eVであるZnTeは，緑色発光素子，太陽電池等への応用が期待されている半導体材料である．近年，マルチバンドギャップ半導体ZnTe1-xOx(x<0.05)を用いた中間バンド型太陽電池実現の可能性が示された．同材料をZnTe基板上に成長する場合，ZnTeOの格子定数がZnTeより小さいため，高品質なエピタキシャル成長層を得ることが困難となっている．本研究では，この格子不整合を緩和するためにZn1-xCdxTe1-yOy混晶に着目し，まずはMBE法による成長条件と作製した薄膜の物性との関係を明らかにした．

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ZnTeは検出効率の高いX線検出素子やテラヘルツデバイスとして期待される材料である。また，サファイアは良好な光透過性があり，サファイア基板上へのZnTeヘテロエピタキシャル成長技術が確立することでテラヘルツ電磁波放射，検出デバイス化において放射波長帯域の広帯域化，検出領域の大面積化を可能にし，様々な産業へ応用できる。本研究では，有機金属気相成長法(MOVPE :Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)を用いてm-paneにZnTe薄膜を成長し，評価することにより，ZnTe薄膜成長の基板温度依存性を調べた。

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InGaNは3族元素であるInとGaの含有率を変化させることで，バンドギャップをInNの1.9(0.7) eVからGaNの3.4 eVの間で任意に変化させることができ，可視光領域を全てカバーすることができる。我々は以前，設備費用が安価であり，低温成長が可能なスパッタリング法により，サファイア及びSi基板上にInGaN薄膜を作製した。本研究ではサファイア，SiよりもInGaNとのミスマッチがさらに小さなYSZ基板を用いることで薄膜に与える影響を検討した。InターゲットとGaAsウェハを別々に設置し，GaAsウェハに印加する高周波出力を変化させ得られたInGaN薄膜の結晶性，組成を評価した。また，YSZ(111)基板上とYSZ(100)基板上における結晶性や結晶構造などの比較も行った。

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四元混晶半導体ZnMgSeTeは，xとyの組成により広い範囲でバンドギャップと格子定数を制御することができるので，バンドギャップを幅広く変えてもZnTeとの格子整合が可能となる. その結果，ZnTeとの高品質なヘテロ接合によりZnTeの純緑色LEDの性能向上が期待される。しかし，量産性に優れた有機金属気相成長法による研究例はほとんど報告されていない．そこで，これまで有機金属気相成長法を用いて基板温度やDESe供給量のZnMgSeTe膜の組成への影響を調べてきた．本研究では， Mg組成の制御を目指して，有機金属気相成長法を用いてZnMgSeTe膜の成長を行い，Mg供給量の組成への影響を明らかにしすると共に，Mg供給量でZnTeとの格子整合が可能であるかを調べた．

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ZnTeは室温で2.26eVのバンドギャップをもつので，緑色LEDへの応用が期待できる. 本研究室では，p型ZnTeをAl熱拡散によりn型化し，n型電極のAlをウエットエッチングにより極膜化することにより，Al電極側から緑色光の取り出すことに成功している。しかし，この方法では，電流の拡がりが困難となり，発光が局部的になりがちであった．そこで，本研究では，極膜化したAl電極上に透明電極を作製することにより克服しようとした。このために，電子ビーム蒸着法によりITO膜を作製し，ZnTe緑色LEDに適用可能な透明でかつ良好な導電膜を作製するための条件を確立した。更に，この透明導電膜を用いてZnTe緑色LEDを作製し，電気的特性，光学的特性の評価を行った．

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半導体シリコン中の鉄原子は、p形シリコン(ホウ素拡散)では鉄は格子間鉄(Fei)および,Fei-B複合体として準位を形成することが報告されている。一方、n形シリコン中の鉄原子は一般的に準位を形成しないとされていたため、その振る舞いは明らかでない。我々はホール効果の温度依存性とDLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)測定の併用解析から1種類のドナー準位(C準位)と2種類のアクセプタ準位(A,B準位)を観測し報告している。本研究ではリン原子密度の異なるn形シリコンに鉄を拡散し、鉄関連欠陥にリン原子が関与しているかどうかを調べたので報告する。

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ZnTe系材料による中間バンド型太陽電池実現のために, そのベースとなるZnTe太陽電池の基盤技術を確立する必要がある. そこで, ZnTeに適したn型窓層材料として, n-ZnS薄膜を用いたn-ZnS/undoped ZnTe/p-ZnTe太陽電池を作製したところ, 窓層材料にn-ZnOを用いた太陽電池と比較して, 開放電圧が大幅に増加することが分かった. 本研究ではさらなる効率改善のために, 同太陽電池のundoped ZnTe層厚依存性と、アニール処理の効果を検証したので, その結果を報告する.

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近年、高分子材料にカーボンナノチューブ（CNT）を添加し、電界印加などによりCNTを配向させて、その電気的特性などを向上させる研究が活発に行われている。筆者らは、電界を用いてCNT を配向させる方法に着目し、CNT／Epoxyナノコンポジットフィルムの作製に取り組んできた。樹脂中のCNTは分散性が悪く粒子状の凝集体を形成する事が知られているが、筆者らはCNT凝集体などの粒子状の炭素がCNTの静電配向に影響を与えていると考えた。本研究では、CNT／エポキシ混合溶液から単一のCNT凝集体を取り出し、電界を印加した時の挙動を詳細に観察し、観察結果について電界計算シミュレーションを用いた考察を行った。

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現在、電力機器の内部の絶縁設計電界がほぼ限界に達しており、機器の更なる小型化や高電圧化のためには新たな絶縁材料を用いた電界設計が求められている。そのため、機器内部の絶縁スペーサ部の比誘電率制御は非常に重要であり、低誘電率化のニーズは高い。そこで、本研究ではエポキシ樹脂の低誘電率化を実験的に検討するため、中空ガラスビーズを内包したエポキシ複合材の試作および誘電率を測定したので、それらの結果について報告する。

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　現在CassandraのCUIツールCassandra-cliが存在する．これはCQLを1つずつ調べてコマンドを直接入力する必要があり，Cassandraのデータモデルを理解していないと分散DBを作成できない．初めてCassandraを利用する人には親切ではなく，手間と時間がかかる．しかし，Webブラウザ上のGUI操作だけであれば，CQLを直接入力する必要やデータモデルを理解していなくても，簡単にCassandraの分散DBを作成できる．そこでGUIツールであるCassandra分散DB用Web管理ツールの作成に至った．

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我々は，ネットワーク管理業務における作業の効率化と技術者育成を目的として，拡張現実感(AR)を用いたネットワーク構成の可視化に関する研究に取り組んでおり，これまでに頭部搭載型ディスプレィ(HMD)をとおして実機周辺にVLAN構成情報を表示するシステムを構築している．本稿では，VLANの構成情報に加えて，構内網を構成する装置の物理的な繋がりを含めたネットワークの全体構成を対象にHMDをとおして可視化する方法を提案する．構内網の物理構成をAR表示することで，論理的なネットワーク設定作業の支援に加えて，障害発生時の物理的な構成確認や変更作業，初級技術者への技術指導にも広く活用できると考えられる．

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現代フラは子どもから大人まで幅広い層に愛される踊りである。ダンス初心者でも始められ、ダイエット効果やリラックス効果がある。しかし、今後のフラの普及に伴い楽器の購入と練習場所の確保の問題がある。さらに古典フラか現代フラかによって使用する楽器が異なるため何種類も楽器を購入する場合負担が多くなってしまう。また、フラ教室以外で練習する場合楽器の音によって近隣住民に迷惑がかかってしまう恐れがある。そこで本研究では、AR技術を駆使し、PCとスマートフォンを使用した仮想フラ楽器の表示に関する基礎的研究を行った。

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従来の音声対話システムは基本的にシステム対一人の使用者という利用形態であり，複数人がお互いに相談しながらシステムと対話するような形態のものはあまり研究されていない．複数人対話の実現のためには，システムに対する発話を認識するだけでなく，人同士での会話であるかどうかなど，「誰が誰に話しているのか」を正確に判断する必要がある．これを実現するには，人物の位置や顔の向きなど視覚的情報が有効であると考えられる．そこで本研究では，対面販売の複数人対話を対象タスクとするような音声対話システムを，Kinectセンサを用いて実現することを試みた．

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