酸化亜鉛(ZnO)は、室温で約3.37 eVのバンドギャップエネルギーを持つワイドギャップ半導体であり、大きい励起子束縛エネルギー(60 meV)を持つため、高効率な励起子発光が期待できる。本研究ではレーザアブレーション法を用いてp型不純物である燐(P)をドープしたPドープZnOマイクロスフィアの作製を試み、真球に近い微小球の作製に成功した。PドープZnOマイクロスフィアはZnOの結晶構造を有し、ラマンスペクトルにおいてPドープを示唆する結果が得られた。さらに、光励起による紫外Whispering Gallery Mode(WGM)レーザ発振が得られたので、その結果について報告する。
