抄録
Ga2O3はバンドギャップが4.9eVと広く，深紫外域においても利用可能な透明電極や可視および紫外オプトエレクトロニクス用の材料として期待されている．Ga2O3において不純物をドーピングすることによりキャリア濃度などを制御できることがこれまでに報告されているが，これまでSnをドーピングした酸化ガリウムの研究はほとんど行われておらず，成膜時の圧力や基板温度，ドーピングするSnの割合などが特性にどのような影響を与えるかが解明されていない。本研究では，低抵抗化の実現が報告されているパルスレーザー堆積（PLD）法を用いたSnドーピングに注目し，成膜時の雰囲気ガスである酸素の圧力を変えるなど種々の条件下でSnドープGa2O3薄膜作製を試みた。
