SiC-MOSFETを用いたチョッパ回路におけるスイッチング動作と磁界プローブを用いた放射ノイズの関係に関する基礎検討

抄録

本論文では、スイッチングノイズ抑制技術の開発のため、パワーデバイスのスイッチング動作と放射ノイズの関係を目的として、SiC-MOSFETを用いて、チョッパ回路におけるターンオンとターンオフのスイッチング動作を1回から8回まで行った時のスイッチング波形と放射ノイズの測定を行った。放射ノイズ測定は、ターンオンとターンオフ時の電流や電圧の変化が大きな約600ns間で磁界プローブを用いて測定し、スイッチング動作と放射ノイズの関係の検討を行った。