a-C:H薄膜を用いた抵抗変化型メモリの作製

抄録

抵抗変化型メモリ（ReRAM）は電圧の印加により電気抵抗が変化する特性を利用した記憶素子である。絶縁膜を金属電極で挟んだシンプルな構造となっており、微細化、大容量化が比較的容易であり、動作速度にも優れている。そのため、次世代不揮発性メモリとして注目されている。一般に、ReRAMの絶縁層として金属酸化物などが多く用いられているが、本研究では、絶縁層として水素化アモルファス炭素（a-C:H）薄膜を用いたCu/a-C:H/Pt/Si 素子を作製し、その電気的特性について報告する。