ヨウ素ドーピングを施した水素化アモルファス窒化炭素薄膜の電気的特性評価

抄録

水素化アモルファス窒化炭素 (a-CNx:H)薄膜は、主に炭素原子と窒素原子で構成されており、炭素の未結合手に水素が結合したアモルファス（非晶質）の材料である。特徴としては高硬度、低誘電率、化学的に不活性、高い光伝導性などがありこれらの特徴から、ハードディスクの表面保護や工具の保護膜、切削工具などに応用されている。またa-CNx:H薄膜にヨウ素ドーピングを施すことで光学ギャップや電気抵抗率の減少が確認されており、電子デバイスへの応用も期待される。本研究では、成膜条件を変化させて作製した膜に対して、ヨウ素ドーピング後の電気的特性の評価について報告する。