近年、センサ・通信モジュールといったIoTデバイスでの低消費電力化、電源確保のためにPZTのような強誘電体(圧電体)薄膜を用いた振動発電機、強誘電体メモリが期待されている。強誘電体膜応用での重要な課題として、本研究では強誘電体の電極や下部層であるPt膜のナノレベルでの成長制御に取り組んだ。スパッタ法によりサファイア原子レベル平坦面上にPtナノ膜を成長させ、温度依存性を調べた。その結果、エピ成長と成長方位に加えて、600℃での高品質成長が確認できた。さらに表面近傍にフィルタ板を配置することで10 nm程度の均一なPtナノ結晶が得られることがわかった。Ptナノ結晶とPZTの積層化が今後の課題である。
