欠陥グランド技術を用いた50GHz帯CMOS発振器の設計手法に関する検討開発

抄録

近年、日々高まっていく通信性能に対する要求を満たすため、通信技術が急速発展している。そのうち、ミリ波帯の通信システムは高速、帯域幅が広いなどの特性を持つため、特に業界から注目されている。故に、ミリ波帯発振器の開発はすでに重要な課題となっていた。そこで、本研究は一般なシリコン基板(CMOS)を利用し、欠陥グランド技術（DGS）を通じ、低コスト且つ低位相雑音のテラヘルツ波帯発振器の開発を目指している。現在の階段におけ、既に三次元電磁界解析ソフトを用いて、高いＱ値の仮想インダクターを実現できている。したがって、相応のサイズのトランジスタと接続させ、-100dBc/Hzより以下の位相雑音を有する50GHz帯発振回路の開発が可能となる。