希土類（R）元素の線膨張係数に着目したR₂Fe₁₄B厚膜磁石のガラス基板への成膜

抄録

MEMSへの磁石膜の応用を考慮し，非金属基板であるSiやガラス基板上へのスパッタリング法を用いた磁石膜の作製が進められる中，その磁石膜の最大厚みは20 μm程度であり，磁石膜外部へ供給する磁界の増加を鑑みると，更なる膜厚増加が望まれる。本報告では， PLD法を用い，ガラス基板上にNd-Fe-B系あるいはPr-Fe-B系磁石膜を各々成膜した際、異なる線膨張係数を有する各希土類（Nd, Pr）の含有量が，熱処理後の磁気特性や試料の破壊現象に及ぼす影響を検討した結果，化学量論組成に比べ希土類含有量を増やした領域において，同程度の厚膜化を試みた際，Pr含有量がNdよりも低減でき，ガラス基板上に(BH)max ： 70 ｋJ/ｍ₃程度の100μm厚Pr-Fe-B系磁石膜が得られることがわかった。