三相PWM電流形インバータにおけるSiCデバイスの適用

抄録

近年，WBG半導体を用いた次世代パワーデバイスは高耐圧・低損失であるため応用研究が盛んに行われている。筆者らは先に，電流連続モード動作するブーストコンバータにSiC-MOSFETを適用し，IGBTの場合と比べて高効率で動作可能なことを示した。本稿では，三相PWM電流形インバータにおいて，SiC-MOSFETを適用した場合の動作特性について実験結果を報告する。