PLD法を用い作製したSi基板上のR（Nd or Pr or Ce）-Fe-B系磁石膜の磁気特性と機械的性質

抄録

スパッタリング法を用いた金属基板へのNd-Fe-B系磁石膜の開発においては100 μm以上の厚膜化がなされる一方，MEMS応用を鑑みたSiやガラス基板への作製では，基板と磁石膜の線膨張係数の差より，成膜や熱処理時に応力に伴う磁石膜の剥離現象の発生，ひいては最大20 μmまでの厚膜化が報告されている。我々はPLD法を用い，Si基板上にNd-Fe-B系磁石膜を160 μmまで厚膜化し，微細加工やマイクロ着磁などを検討してきた。本研究では，Nd（Pr）-Fe-B系磁石膜に比べ，飽和磁気分極や結晶磁気異方性は劣るものの，①価格や②Siやガラスに対する線膨張係数に対し優位性を有するCe-Fe-B系磁石膜に着目し，その磁気特性や機械的性質を評価し，NdやPr元素の一部のCe置換の可能性を検討した。