Si基板の酸化層がNd-Fe-B系磁石膜の堆積現象に及ぼす影響

抄録

我々は， Pulsed Laser Deposition法を用い5 mm角Si基板上に数10μm厚のNd-Fe-B系磁石膜を成膜し，熱処理した際，自然酸化膜付きSi基板では磁石膜が剥離する一方，500 nm厚熱酸化膜を有するSi基板上の磁石膜は密着性が強く，仮に試料が破壊した際には，Si基板内部より破損が生じ，その破損する現象もNd含有量に依存する事を報告してきた。しかし，上記の結果は，PLD法のみで確認したにすぎない。本研究では，PLD法と同様，高真空中で数10 μm/hの速度で成膜でき，更により大きなSi基板に成膜可能な真空アーク蒸着法において，「Si基板の酸化層」や「Nd含有量」がNd-Fe-B磁石膜の堆積現象（破壊現象）に重要な因子である事を明らかにしたので報告する。