小型デバイス応用を鑑みた真空アーク蒸着法によるNd-Fe-B系厚膜磁石の作製

抄録

これまで我々は，真空アーク蒸着法を用い5 mm角程度の基板に等方性Nd-Fe-B厚膜磁石の作製してきたものの，（1） ヒステリシスループの2段化に伴う動作点での磁気分極の低下，（2） 小型デバイス応用に向けての成膜面積の増加の必要性などが課題として挙げられてきた。本研究では，「試料形状を鑑みた2段化の抑制」や「基板回転機構による膜厚分布を抑制した成膜面積の増加」に対し検討したので報告する。