Bi触媒によるn型Ge薄膜の低温形成

抄録

現在のインターネット技術の恩恵を享受するには、小型・軽量かつ高速な情報処理が行えるフレキシブル・エレクトロニクスの実現が必要であり、半導体素子の高性能化が求められる。しかし、現在主流の半導体材料Siでは、高性能化には限界がある。そこで、優れた電子物性を有する新規材料であるGe薄膜の形成プロセスの創出が必要となっている。本研究では、Biを触媒としたn型Ge薄膜の層交換結晶法を検討した。