PLD法によるSi基板上へのTmドープGa2O3薄膜の作製と評価

抄録

希土類元素を添加した半導体では 低電圧駆動でのエレクトロルミネッセンスが,紫外から赤外までの広い波長領域で確認され,フルカラーディスプレイ・光通信など様々な用途への応用が期待されている。またβ-酸化ガリウムは安定な単斜晶系構造を有しており、直接遷移型のバンド構造を持ち、バンドギャップが 4.9eVであることから、希土類元素の母体材料として有望である。 我々は既にα-Al2O3基板上のTmドープGa2O3薄膜の作製に成功しているが、絶縁性をもつためデバイス化が困難である。本研究では導電性を持つSi基板上にTmドープ Ga2O3 薄膜 を成長させ、得られた薄膜の光学特性などを明らかにすることを目的とした。