RFスパッタリング法によるGaNを用いたInGaN薄膜の作製と評価

抄録

本研究ではInGaN薄膜をスパッタリング法を使用して、InおよびGaNターゲットに適用されるRF電力の出力を変更することによって成長した。 Inの出力変化を0 [W]から100 [W]に変更し、GaNの出力を200[W]に固定した。 成長したInGaN薄膜の組成、光学バンドギャップエネルギー、結晶性、成長速度を評価した。 この成長法により、InGaNの三元混晶を得ることに成功した。 その結果、Inの出力をGaNに変化させると、InGaNの組成が変化し、InGaN薄膜の光学バンドギャップエネルギーを制御できることが明らかになった。