GGG基板上ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価

抄録

ZnTe薄膜は，低コスト高輝度の純緑色LED，LDをはじめ，THzデバイスなどの各種光デバイスへの応用が期待されている．THzデバイス応用では，アライメントの容易さ等から可視光を透過する透明基板上に結晶面方位を制御し成長されたZnTe薄膜が求められる．本研究では，熱膨張係数がZnTeに比較的近い透明材料であるガドリニウム・ガリウム・ガーネット（GGG）に着目し，有機金属気相成長（MOVPE）法を用い異なる基板温度下でZnTe薄膜を成長し，成長条件と薄膜の配向性の関係をX線回折測定により調べた．本講演では，結晶面方位の異なる3種類のGGG基板および成長時の基板温度を変化させた条件下で成長したZnTe薄膜の成長条件，薄膜の配向性の関係等を報告する．