リード線形状によるMOS-FET内のインダクタンス推定

抄録

SiC等のワイドギャップ半導体はSiと比較して低損失、高耐圧、高速スイッチグ動作および高温動作が可能という特徴があることから次世代パワーデバイスとして期待されている。一方で、ワイドギャップ半導体の性能を発揮するために、パワーモジュールパッケージの高耐熱化、低寄生インダクタンス化、低熱抵抗化がきわめて重要な課題となる。これらの課題解決方法として、有限要素法を用いた電界解析ならびに磁気特性解析を行う。リード線毎の各インダクタンスを求め、モデル改良を行うことで低寄生インダクタンス化を目指す。