MOVPE成長したAlドープZnTe薄膜におけるポストアニール処理の効果

抄録

高輝度緑色LED等への応用が期待されるテルル化亜鉛(ZnTe)は，薄膜成長技術が進展してきた中，未だにn型ドーピングにおける再現性，制御性に大きな課題を抱えている．我々はこれまでに，ZnTeのn型化ドーパントとしてAlに注目し，有機金属気相成長(MOVPE)法とポストアニール処理の組み合わせを適用し，ドーピング量一定としたAlドープZnTe薄膜のドーパント活性化率や複合体アクセプタの増減に及ぼすポストアニール処理温度の影響を報告した．本研究では，異なるドーピング量のAlドープZnTe薄膜についてポストアニール処理温度の影響を調べた。その結果，低温フォトルミネッセンス特性の変化傾向が変わる境界温度がドーピング量により異なることが示唆された．