SiC結晶の六方格子面内の回転によって得られる粒界のエネルギー

抄録

SiCの六方格子面内の回転によって得られる粒界について, 実在する高純度なbicrystalの方位関係のデータ及び格子点の対応の度合の角度依存性に関するモデル計算の結果から次のことを結論した.
(1) SiC, ダイヤモンド及びシリコン等に関する, この種の粒界形成による表面エネルギーの緩和量は, 格子点の対応の度合によって近似的に評価できるであろうことを示した.
(2) この種の粒界の平均的なエネルギーは, これらの物質の (111) 面 (α-SiCの場合は (0001) 面) の表面ェネルギーの1.88倍以上であろうと推論した.