CuO-V₂O₅-TeO₂系ガラス及び結晶化ガラスの電気伝導

抄録

結晶化に伴うメモリースイッチングに着目して, CuO-V₂O₅-TeO₂系ガラスを熱処理して結晶化し, ガラス及び結晶化ガラスの導電率を検討した.
2元系ではCuOあるいはV₂O₅55mol%以上のガラスは見いだされなかったが, 3元系では遷移金属酸化物を最も多量に含有するガラスとして, 60CuO, 20V₂O₅, 20TeO₂なる組成のものが得られた. ガラスの導電率は, TeO₂を一定としてV₂O₅をCuOで置換するとき減少し, V₂O₅を一定としてTeO₂をCuOで置換するとき, 増加した. 25CuO, 45V₂O₅, 30TeO₂なる組成のガラスを熱処理するとき, V₂O₅, 未知相A及びCuTeO₃を析出し, 150℃における導電率は10^-3から10^-0.5Ω^-1・cm^-1に増加した. 導電率を高くする析出晶はV₂O₅及びA相であった. 55CuO, 15V₂O₅, 30TeO₂なる組成のガラスを結晶化するとき, 導電率はもとのガラスとほとんど変わらなかった. このときもう一つの未知相Bと, 少量のV₂O₅及びCuOを析出した. EPMA分析より, A相及びB相の組成はそれぞれ50V₂O₅, 25CuO, 25TeO₂及び20-25V₂O₅, 40-45CuO, 35-40TeO₂であることが見いだされた.