車載電子機器を対象に促進性の高い腐食試験方法について研究した．銀配線を形成した回路基板を，シリコーンで封止した筐体内部に格納しSO2，H2S，S8のそれぞれのガスを単独で用いた試験を行った．SO2試験は3300 ppm/90℃/80％RH，H2S試験は60 ppm/90℃/80％RHとし，S8試験は4 ppm/90℃/＜10％RHとした．銀配線の腐食速度を測定した結果，これらの試験の中でS8試験が最も促進性の高い腐食試験であることが分った．高い促進性はS8の銀に対する高い腐食能力に加え，S8のシリコーンに対する高い透過性によることが分かった．この結果を基に硫黄腐食の促進試験として，S8ガス試験を提案する．
