日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
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フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III
神野 真吾茜 俊彦平田 智也久野 尚志羊 億磯貝 佳孝渡邊 直樹藤原 康文中村 新男竹田 美和
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2002 年 29 巻 2 号 p. 36-

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抄録
ErP/InP heterostructure is one of the candidates for realizing new functional high-speed magneto-electronic devices. We have investigated growth morphology of ErP on InP (001) and (111)A. ErP/InP heterostructures were grown by face-down OMVPE. ErP formed islands on each orientation, while island size and height were quite different between two orientations.
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© 2002 日本結晶成長学会
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