光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III

日本結晶成長学会誌

Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275

光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III

吉田清輝, 伊東義曜, 城川潤二郎, 尾鍋研太郎, 白木靖寛

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ジャーナルフリー

2002 年 29 巻 2 号 p. 35-

DOI https://doi.org/10.19009/jjacg.29.2_35

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抄録

GaNP LED was fabricated the electroluminescence (EL) property was investigated. The band edge-emission of 425nm was observed.

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© 2002 日本結晶成長学会

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