SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶(<小特集>IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)

中嶋 一雄; 藤原 航三; 宇佐美 徳隆; 藩 伍根; 佐崎 元; 宇治原 徹; 宍戸 統悦

doi:10.19009/jjacg.31.1_29

中嶋一雄, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 佐崎元, 宇治原徹, 宍戸統悦

著者情報

ジャーナルフリー

2004 年 31 巻 1 号 p. 29-37

DOI https://doi.org/10.19009/jjacg.31.1_29

詳細

抄録

全率固溶型状態図を有するSiGeは,その物理的性質が,組成分布により広範に制御可能であり,ポストSiの電子デバイス用材料や,太陽電池材料として期待が大きい.本稿では,我々が研究に取り組んでいる,均一組成を有するSiGeバルク単結晶,および「ミクロ分散的組成分布を有するSiGe多結晶」について,その成長技術と新しい応用について解説する.

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）