広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(<小特集>量子ドットの使い道)

河口 研一; 江川 満; 秋山 知之; 植竹 理人; 安岡 奈美; 江部 広治; 菅原 充; 荒川 泰彦

doi:10.19009/jjacg.33.2_83

河口研一, 江川満, 秋山知之, 植竹理人, 安岡奈美, 江部広治, 菅原充, 荒川泰彦

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2006 年 33 巻 2 号 p. 83-88

DOI https://doi.org/10.19009/jjacg.33.2_83

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抄録

量子ドットを活性層に用いた半導体光増幅器(SOA)は,量子ドットのサイズ分布によって広帯域で利得を持たせることが可能なため,低密度波長多重通信(CWDM)において広い波長範囲を一括増幅できる素子として期待されている.本稿では,波長1.3〜1.6μmの広帯域量子ドットSOAの実現に向けた,MOVPE法によるInP基板上自己形成InAs量子ドットの結晶成長技術開発について,発光波長1.6μmの量子ドット形成とSOA試作,および偏波無依存量子ドットの形成に関する検討について紹介する.

責任著者(Corresponding author)

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