液滴エピタキシー法によるナノリング構造の自己形成(<小特集>量子ドットの使い方)
2006 年 33 巻 2 号 p. 101-105
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2006 年 33 巻 2 号 p. 101-105
液滴エピタキシー法による格子整合系のGaAs/AIGaAs系ナノリング構造の自己形成について,当グループの最近の成果を報告する.液滴の複雑な結晶化過程に着目し,半球状のGa液滴に強度を制御したAs_4分子線を照射するだけで,一重のナノリングのみならず複雑な同心二重ナノリング構造も作製できる事を見出した.さらに,これらのナノリング構造の大きさは,液滴形成や結晶化の際の条件により制御できることが分かった.このように無歪み系のナノリング構造を制御性良く作製できることから,この手法,材料系は「量子リング」の特性解明に向けて非常に有用であるといえる.
