抄録
GaN,AlN,InN等の窒化物半導体とZnOの(0001)面と無極性面でのエピタキシャル成長過程の初期過程を,基板に付着した原子の感じるポテンシャル等高線図(Potential Energy Surface)を第一原理計算で求めることで解明した理論研究を紹介する.具体的にはGaN (0001),ZnO (0001),GaN (1120),ZnO (1120),GaN (1010),ZnO (1010),GaN/sapphire (0001),AlN/sapphire (0001),InN/sapphire (0001),ZnO/sapphire (0001),GaN/SiC (0001),ZnO/SiC (0001),ZnO/SiC (0001)を扱い,GaNではGa過剰の条件がよいことや,無極性面でエピタキシャル成長した表面上に筋が見えることなどが示された.また,サファイア(0001)基板上にエピタキシャル成長させた場合の面方位や極性制御についても,第一原理計算から有益な知見を得ることができた.
