精密工学会誌
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STM技術のマイクロエレクトロニクスへの応用
岡山 重夫古室 昌徳岡野 真
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1987 年 53 巻 12 号 p. 1826-1830

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抄録

原子レベルの分解能と高い三次元位置決め能力を有するSTMは,試料を非破壊で三次元計測できることが従来の測定装置にない大きな優位性である.微細加工パターン等の測定結果から,格子の溝交差部における深さ50nmの急峻な構造についてもXY面内分解能10nm以下,Z軸方向分解能1nm程度で三次元計測が可能となり,深さ方向の情報を有する三次元計測では従来の走査型電子顕微鏡を凌駕する見通しが得られた.STM像は等高線表示等によって微細形状を三次元情報として把握できるためパターン測長,段差計測が容易であり,マイクロエレクトロニクス分野のみならず広く微細加工表面の評価装置として有望である.

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