28p-Q-9 イオン散乱分光法による(Bi, Sb)/Si(111)表面の構造解析

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 28p-Q-9

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.54.1.2.0_303_1

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28p-Q-9 イオン散乱分光法による(Bi, Sb)/Si(111)表面の構造解析

松田克士, 柚原淳司, 森田健治

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