26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 26pKA-6

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.68.2.4.0_860_3

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26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

井上海平, 村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎

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