Si(001)-2×1表面電子構造に及ぼす歪みの効果III

抄録

一般化密度勾配近似を用いる第一原理計算により、Si(001)-2x1表面電子構造に及ぼす歪みの効果を解析する。分厚いスラブ系を用いることにより、表面電子バンドと表面共鳴状態の両方を系統的に調べる。前回よりも分厚いスラブ系を用いて厚さの効果を明らかにし、今回は1軸圧縮歪みなどを印加したときの表面電子構造の変化を明らかにする。