酸化ガリウム中の酸素空孔によるバンド分散変化

抄録

酸化ガリウム(Ga_2_O_3_)はパワーデバイスへの応用が期待されている。しかしGa_2_O_3_の価電子帯頂上付近は分散が非常に小さいため、正孔ドープが難しく、P型半導体の作製が困難となっている。先行研究より、金属酸化物のエネルギーバンドは酸素空孔があることで分散が大きくなることが知られている。本研究ではβ-Ga_2_O_3_中の酸素空孔がエネルギーバンドの分散にどのような影響を及ぼすかを密度汎関数法に基づく第一原理計算を用いて解析した。