遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子束縛エネルギーに対する周波数依存した背景誘電率の影響

抄録

誘電率が高い物質中では, 励起子束縛エネルギーは減少するが, 物質の誘電率が周波数に依存している場合, その減少の程度は自明でない. 本研究では, 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子束縛エネルギーに対する, 光学フォノンによる動的遮蔽効果を理論的に解析する. 電子状態を, 有効質量近似とディラック方程式の二つのモデルを用いて計算し, 両者の励起子束縛エネルギーに対する動的遮蔽効果の違いを明らかにする.