グラフェンにおける量子閉じ込め現象に関する検討

抄録

BNを用いた高移動度化と、２層グラフェン対する垂直電場印加によるバンドギャップ形成を用い、電界閉じ込め効果による量子構造の作製を目指した研究を進めている。試料作製と低温における伝導特性評価の結果について講演する予定でいる。