正孔ドープした分子性ディラック電子系におけるランダウ準位交差

抄録

我々は、プラスチック基板上にα-(BEDT-TTF)_2I_3の薄片結晶を固定するだけで、接触帯電法により正孔を注入することに成功し、ディラック電子系特有のランダウ準位構造を観測してきた。前回は、Sdh振動から磁場を傾けることでスピン分裂したランダウ準位交差を観測した。ここで重要なのはベリー位相がπから0へ変わることを見出したことである。そこで本研究では、量子ホール効果からこの現象を調べた。講演ではこのことについて議論する。