グラフェンを電極としたNbSe₂薄膜における超伝導臨界電流

抄録

我々はグラフェンを電極として用いた二次元層状カルコゲナイド化合物NbSe_2_の伝導特性を調べた。グラフェンを電極として用いた場合、NbSe_2_の超伝導臨界電流は金属電極の場合と比較して減少した。さらに臨界電流値は電界効果によって変調可能であることがわかった。これらは電流によるグラフェンのジュール熱発生により，NbSe_2_の臨界電流が大きく影響を受けているためである。グラフェンの抵抗値のゲート依存性を利用することで，NbSe_2_の臨界電流値を制御することができる。