金属錯体を用いたドーピングによる高キャリア密度下における導電性高分子のバンド伝導特性

抄録

分子インプランテーション法は、パイ共役高分子にドーパントをインターカレートさせることで、ドーピングを行う手法である。本講演では、アクセプター性ドーパント金属錯体Mo(tfd-COCF3)3の分散液を用いて分子インプランテーションを行い、典型的なパイ共役高分子において高い伝導度を達成した。この高いキャリア密度下でのホール効果、弱局在による負の磁気抵抗効果などの解析を中心に導電性高分子内でのバンド伝導について議論を行う。