UIrSi3の単結晶育成と物性

本多 史憲; Jaroslav Valenta; Michal Valiska; Bara Vondrackova; Petr Opletal; Jiri Kastil; Jiri Prchal; 李 徳新; 青木 大; Vladimir Sechovsky

doi:10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2360

セッションID: 20aL21-7

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2360

会議情報

主催: 一般社団法人日本物理学会

会議名: 2017年度日本物理学会第72回年次大会

開催日: 2017/03/17 - 2017/03/20

UIrSi₃の単結晶育成と物性

本多史憲, Jaroslav Valenta, Michal Valiska, Bara Vondrackova, Petr Opletal, Jiri Kastil, Jiri Prchal, 李徳新, 青木大, Vladimir Sechovsky

著者情報

キーワード: ｆ電子系, アクチナイド化合物, 伝導，磁化，及び熱測定, 相転移及び臨界現象, 熱物性及び輸送現象

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

UIrSi3の結晶構造は重い電子系の圧力誘起超伝導体CeRhSi3やCeIrSi3と同じBaNiSn3型正方晶であり，この構造は空間反転対称性がない．Ce化合物ではBaNiSn3型を持つ化合物は数多く知られているものの，ウラン化合物で報告があるのはUIrSi3とUNiGa3の2例だけで，これまで単結晶育成の報告はない．我々はUIrSi3の磁気構造や磁気異方性についての知見を得るために単結晶育成に取り組み帯溶融法により単結晶育成に成功した．

責任著者(Corresponding author)

会議情報

J-STAGEへの登録はこちら（無料）