Bi₂Se₃超薄膜表面界面構造の膜厚依存性

抄録

Bi_2_Se_3_を薄膜化すると、膜厚6 nm以下でトポロジカル表面状態にバンドギャップが生じることが観察されている。6 nm以下では3次元から2次元トポロジカル絶縁体への相転移であり、2 nm以下では通常の絶縁体への相転移であると指摘されている。本研究ではこの量子相転移における構造変化をＸ線回折法により調べた。表面界面構造の膜厚依存性を示し、量子相転移との関連を議論する。