Bi/Ge(111)-√3×√3R30°のエネルギー可変2光子光電子分光

抄録

GeやSi上に数層のBiやSbを吸着させた超構造は、スピン軌道相互作用により特異な表面電子状態を示す。本研究では、Ge(111)上のBi超構造における占有および非占有領域のバンド分散を明らかにすることを目的とする。Ge(111) c2×8表面上に1MLのBiを蒸着しアニールすることより、√3×√3超構造を作製した。その後、エネルギー可変２光子光電子分光実験から、複数の表面電子状態によるバンド構造を観測した。