本稿では高濃度窒素成分（NH4-N）と過酸化水素（H2O2）を含有する半導体の基盤洗浄水などのアンモニア過水を亜臨界水熱反応によって無害化する触媒として，Fe，Fe2O3，Zn，CuO，MnO2，V2O5，MoO3，Al2O3，NiO，Mg，MgO，CaO，BaO の13種の非貴金属触媒を探査した．そして選出した触媒を用いた至適反応条件を確認した．触媒としてMgOが選出され，NH4-N とH2O2それぞれの模擬排水濃度5,000 ㎎/Lと10,000 ㎎/L，MgO 0.9 g，振とう数110 rpm，反応温度300℃，反応時間1時間の条件下，NH4-N とH2O2の除去率はそれぞれ32.8％と100％であった．このようにMgOは高濃度窒素除去をなす触媒としてPtと同程度に反応性を大きく促進できることを見出した．
