HfSiON絶縁膜の不可逆的な絶縁劣化要因

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-P11-20

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2810

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

HfSiON絶縁膜の不可逆的な絶縁劣化要因

*菊地裕樹, 田村知大, 野村豪, 大毛利健治, 佐藤基之, 蓮沼隆, 山部紀久夫

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キーワード: 19a-P11-20, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, High-k, 絶縁膜, 絶縁劣化

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