MOCVD法による4インチSi基板上へのInAlN/GaN HEMT構造の作製とその特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 20p-TK-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3148

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

MOCVD法による4インチSi基板上へのInAlN/GaN HEMT構造の作製とその特性評価

*角谷茂明, 前原宗太, 杉山智彦, 市村幹也, 倉岡義孝, 三好実人, 田中光浩, 江川孝志

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キーワード: 20p-TK-6, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, 高電子移動度トランジスタ

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