GIT構造を持つAlGaN/GaN HEMTのデバイスシミュレーションによる解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 20p-TK-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3147

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

GIT構造を持つAlGaN/GaN HEMTのデバイスシミュレーションによる解析

*長南紘志, 井手利英, 清水三聡, 中西久幸

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キーワード: 20p-TK-5, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, GaN, GIT, Simulation

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