Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17p-TC-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3429

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価

*島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正

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キーワード: 17p-TC-10, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, Si-doped AlGaN, UV-C, 減圧MOVPE法

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