人工単結晶核を用いたSiGeミキシング誘起溶融成長法　-GOI(Ge on Insulator)の方位制御-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17p-TJ-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3532

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

人工単結晶核を用いたSiGeミキシング誘起溶融成長法　-GOI(Ge on Insulator)の方位制御-

*横山裕之, 川畑直之, 坂根尭, 大田康晴, 田中貴規, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信

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キーワード: 17p-TJ-4, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, Ge, 半導体, 溶融成長

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